Samsung Electronics a accepté d'utiliser le procédé de fabrication en 3 nanomètres de TSMC pour produire les matrices de base des puces mémoire personnalisées à large bande passante de Nvidia, a rapporté le Seoul Economic Daily. Selon le quotidien sud‑coréen, il s'agit de la première collaboration entre Samsung et le fondeur taïwanais à ce stade précis de production des puces HBM.
Un changement de chaîne d'approvisionnement pour la NVHBM
Le journal indique que Nvidia a demandé à Samsung, à SK Hynix et à Micron Technology d'adopter le procédé de TSMC pour les matrices de base des puces baptisées NVHBM, ainsi que la technologie DRAM de sixième génération pour ces matrices centrales. La NVHBM, présentée en août, intègre le contrôleur mémoire personnalisé de Nvidia directement dans la matrice de base et vise à standardiser la mise en œuvre de ce contrôleur auprès de plusieurs fournisseurs de mémoire.
Selon le Seoul Economic Daily, Samsung a approuvé ces exigences après un examen interne mais entend conserver son modèle de production interne pour les puces HBM « standard » et pour des produits personnalisés destinés à d'autres clients. Le groupe évalue toutefois la possibilité que sa propre fonderie prenne le relais si la demande dépassait les capacités de TSMC.
Ce que cela implique pour les acteurs
La décision reporte une partie cruciale de la fabrication — la matrice de base — vers le procédé avancé d'un tiers, transformant la relation client‑fournisseur habituelle entre fabricants de mémoire et fonderies. Concrètement, plusieurs effets se dégagent :
- Standardisation technique : la NVHBM regroupe le contrôleur mémoire de Nvidia dans la matrice, facilitant une implémentation commune chez plusieurs fournisseurs.
- Dépendance aux capacités de TSMC : confier la gravure en 3 nm à TSMC place une contrainte de capacité sur un acteur déjà fortement sollicité pour les nœuds avancés.
- Maintien de l’intégration interne : Samsung conserve la production interne pour les HBM classiques et certains produits sur mesure, limitant l'ouverture totale de son process aux exigences de Nvidia.
Ces éléments soulignent une hybridation des modèles industriels : intégration verticale maintenue pour certaines gammes, recours à la sous‑traitance de pointe pour d'autres, selon la nature du produit et la volumétrie demandée.
Tableau : rôles annoncés par acteur
| Acteur | Rôle selon le Seoul Economic Daily |
|---|---|
| Nvidia | Demande l'utilisation du procédé 3 nm et l'intégration du contrôleur dans la matrice NVHBM |
| Samsung Electronics | Produira les matrices de base NVHBM sur le procédé TSMC 3 nm ; conservera la production interne des HBM standards |
| TSMC | Fournira le procédé 3 nm pour la gravure des matrices de base |
| SK Hynix, Micron | Invités à utiliser le procédé TSMC et la DRAM de 6e génération pour leurs matrices NVHBM |
Conséquences et questions ouvertes
Ce basculement technique pose plusieurs questions pour l'industrie : la capacité de TSMC à absorber des volumes supplémentaires pour des matrices de mémoire très spécifiques ; la façon dont les fournisseurs de mémoire adapteront leurs chaînes logistiques ; et, plus largement, l'impact sur la concurrence entre fonderies et fabricants de puces mémoire. Le Seoul Economic Daily rapporte aussi que Samsung examine la possibilité de produire ces matrices au sein de sa propre fonderie si la demande excède les capacités de TSMC, ce qui indiquerait une stratégie d'atténuation des risques.
La NVHBM, en intégrant un contrôleur propriétaire dans la matrice de base, vise à uniformiser le design pour plusieurs fournisseurs, mais elle nécessite des choix industriels précis pour la gravure et la DRAM associée. Pour les acteurs européens et français du secteur des centres de données et des puces accélératrices, ces évolutions soulignent l'importance de suivre la diversification des lignes d'approvisionnement et les dépendances aux procédés avancés.
Sur le plan technologique, la gravure en 3 nm reste un nœud stratégique : elle offre des gains en performance et en consommation, mais elle concentre la production chez un nombre limité d'acteurs capables de la maîtriser à grande échelle. Le recours à TSMC par des fabricants de mémoire marque donc un ajustement majeur des relations industrielles dans l'écosystème des semi‑conducteurs.
